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武漢華工激光工程有限責任公司
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面向半導體產業鏈中游晶圓生產企業、下游封裝測試企業，采用獨立開發的多通道明暗場并行檢測系統，對半導體有圖形晶圓、晶粒的外觀缺陷進行檢測。 檢測精度 3 μm 鏡頭 顯微鏡頭 整機尺寸（mm） 2000*1200*2250
本設備可適用于4—8英寸有圖形晶圓
檢測劃傷、背崩、色差、開裂、劃偏、金屬殘留、金屬缺失等缺陷
系統分辨率：0.2-0.8μm
有圖形晶圓：缺陷數量在200個以內的情況下，15分鐘/片
| 項目 | 主要技術參數 | ||
| 常規參數 | Wafer尺寸 | 4" , 6"（帶藍膜鐵框 ） | |
| 料盒數量 | 2 pcs | ||
| 上下料方式 | 機械手， Mapping掃描 | ||
| 運動平臺 | X行程200mm，重復精度10μm Y行程45mm，重復精度10μm Z行程15mm，重復精度5μm | ||
| 產能 | 4" , 25WPH 6" , 20WPH | ||
| 檢測性能 | 檢測精度 | 3 μm | |
| 相機 | 高分辨率工業相機 | ||
| 鏡頭 | 顯微鏡頭 | ||
| 光源 | 光源 | ||
| 缺陷標記 | 自動打點 | ||
| 使用環境 | 供電規格 | AC220V， 50Hz | |
| 氣源要求 | 0 .5-0 .7Mpa壓縮空氣， 無明顯水汽和油脂 | ||
| 設備重量 | 溫度15-40℃， 濕度要求30%-70%， 無凝霜 | ||
| 整機尺寸 | 2000mm*1200mm*2250mm | ||
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