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主要是要將晶圓上的每一顆晶粒（Die）切割分離。首先將晶圓（Wafer）的背面貼上一層膠帶（Wafer Mount），之后通過(guò)自動(dòng)上料機(jī)構(gòu)將其送至晶圓切割機(jī)內(nèi)部，用單獨(dú)的die通過(guò)高速旋轉(zhuǎn)的金剛石刀片切割開(kāi)來(lái)，切割完后，一顆顆的晶粒會(huì)井然有序的排列黏貼在膠帶上，然后再通過(guò)搬運(yùn)手臂搬運(yùn)至清洗區(qū)域離心清洗，過(guò)程用離子水（DI純水）沖去切割產(chǎn)生的硅渣和釋放靜電，清洗完后的晶圓通過(guò)搬運(yùn)手臂推回料盒中。
主要是要將晶圓上的每一顆晶粒（Die）切割分離。首先將晶圓（Wafer）的背面貼上一層膠帶（Wafer Mount），之后通過(guò)自動(dòng)上料機(jī)構(gòu)將其送至晶圓切割機(jī)（晶圓劃片機(jī)）內(nèi)部，用單獨(dú)的die通過(guò)高速旋轉(zhuǎn)的金剛石刀片切割開(kāi)來(lái)，切割完后，一顆顆的晶粒會(huì)井然有序的排列黏貼在膠帶上，然后再通過(guò)搬運(yùn)手臂搬運(yùn)至清洗區(qū)域離心清洗，過(guò)程用離子水（DI純水）沖去切割產(chǎn)生的硅渣和釋放靜電，清洗完后的晶圓通過(guò)搬運(yùn)手臂推回料盒中。
| 項(xiàng)目 | 參數(shù)值 | |
| 設(shè)備名稱 | 晶圓切割機(jī) | |
| 設(shè)備型號(hào) | QWD-1202A | |
| 工作物尺寸 | φ300mm | |
| X軸 | 可切割范圍 | 310mm |
| 進(jìn)刀速度輸入范圍 | 0.1-1000mm/s | |
| Y1·Y2軸 | 可切割范圍 | 310mm |
| 單步步進(jìn)量 | 0.001mm | |
| Y軸定位精度 | 0.003mm以內(nèi)/310 單一.002以內(nèi)/5 | |
| Z1·Z2軸 | 有效行程 | 14.7mm(使用φ2"切割刀時(shí)） |
| 移動(dòng)量解析度 | 0.00005mm | |
| 重復(fù)精度 | 0.001mm | |
| 可使用的切割刀片直徑 | φ58mm(使用φ2"切割刀時(shí)） | |
| θ軸 | 旋轉(zhuǎn)角度 | 270° |
| 主軸 | 運(yùn)行速度范圍( rpm) | 10000~60000 |
| 功率(KW) | 1.8/2.4 at 60000 rpm | |
| 扭矩（N-m） | 0.3/0.4 (15000~60000 rpm) | |
| 可使用的框架尺寸 | 8-12寸 | |
| 其他規(guī)格 | 電源 | 三相AC380 |
| 設(shè)備尺寸 | 1850*1520*1850mm（長(zhǎng)x寬x高） | |
| 設(shè)備重量 | 約2500KG | |
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